HBF打开AI存储降本空间，但挤压传统NAND供给

HBF打开AI存储降本空间，但挤压传统NAND供给来源：半导纵横发布时间：2026-11-04 17:22存储HBM生成海报8颗裸芯堆叠的HBF每GB制造成本为0.64美元；而8层堆叠的HBM4每GB制造成本为6.78美元。

高带宽闪存（HBF）有望为AI加速器提供更多存储容量，每GB制造成本大约仅为HBM4的十分之一。但量产HBF会消耗远多于传统NAND的晶圆产能，可能压缩SSD厂商的供给空间。据伯恩斯坦测算，8颗裸芯堆叠的HBF每GB制造成本为0.64美元；而8层堆叠的HBM4每GB制造成本为6.78美元。不过，如果要产出同等存储容量，HBF所需晶圆面积大约是企业级SSD所用TLC NAND的6.5倍。

伯恩斯坦同时估算，假设单颗HBF堆叠产品售价和HBM持平，8裸芯HBF的毛利率可达86.5%。以上均为模型测算数值，并非实际生产成本或商业化毛利率。

HBF将多颗NAND裸芯堆叠，并拓宽数据通路，向AI加速器高速传输海量数据。虽然延迟高于HBM，但它可以用更低成本提供更大容量，填补HBM与SSD之间的空白。这套思路是：对延迟敏感的负载放在HBM中运行，HBF用来承载体量巨大、需要频繁读取的模型数据。

高盛分析师James Schneider认为，依托更高的加速器利用率，HBF有望把AI推理成本降低约30%。假设15% 至50% 的AI芯片采用该技术，到2030年，包含HBF在内的高性能NAND潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。

闪迪目标2027年送出HBF样品

闪迪与SK海力士正在联手制定HBF标准，推动这项技术落地。闪迪8月完成首款HBF存储裸芯流片，并在10月29日财报电话会上确认已经启动制造。公司计划在2027年交付首批基于HBF的样品。闪迪CEO David Goeckeler表示，公司还需要完成控制器基础裸芯流片、组件集成，之后向客户送测。客户测试结果，将决定HBF在AI系统中的实际表现以及客户落地节奏。HBF暂未纳入闪迪长期财务测算模型。

SK海力士在10月28日财报中称，计划依托HBF以及系统优化，把NAND打造为提升AI业务吞吐能力、改善成本效率的核心技术。现阶段，SK海力士的NAND战略重心仍是企业级SSD。公司计划在第四季度将321层NAND工艺的占比提升至韩国本土产能的一半以上。今年8月，SK海力士与闪迪通过开放计算项目（OCP）发布首份HBF技术规范，覆盖8裸芯、16裸芯两种堆叠方案，最高容量512GB，带宽区间约0.4TB/s～3.0TB/s。谷歌、AI芯片厂商Tenstorrent也加入这项标准化工作。

三星电子同样在研发高性能NAND技术，面向端侧AI推出zNAND-O架构。

HBF会分流传统NAND产能

按照高盛乐观情景假设：到2028年末，一半AI芯片搭载HBF。届时HBF占全球NAND比特出货量约4%，但会消耗约9% 的晶圆产能。这个差距源于HBF对晶圆资源的高消耗。如果厂商在不新增总产能的前提下转产HBF，留给企业SSD等传统NAND产品的晶圆供给就会缩减。

而闪迪已有的长期供货承诺，会加大这种产能转移的难度。闪迪已经和8家客户签署长期协议，协议覆盖的比特容量大约占到其2027财年预期总出货量的一半、2028财年预期总出货量的三分之二。公司在10月财报会上透露，意向订单储备已经超过2029年底之前的可用产能。这些协议订单目前并未标明是HBF订单，对存量客户的供货承诺，会限制闪迪可转向新产品的产能规模。

闪迪的NAND生产长期依赖合作伙伴铠侠。根据闪迪年报，目前其全部闪存晶圆都来自和铠侠在日本设立的合资制造主体Flash Ventures。双方协议限制闪存生产外迁以及使用第三方代工厂。铠侠并未加入HBF标准联盟，而是在研发另一套高性能闪存架构，Blocks & Files在11月3日报道了该消息。

2025年8月，铠侠展示了面向边缘AI的5TB闪存模组，带宽64GB/s。该方案采用串行链式互联，和闪迪、SK海力士的垂直堆叠路线不同。闪迪尚未披露，如何依托现有制造合作框架解决HBF晶圆供给。两家企业也没有发布任何和HBF生产相关的纠纷公告。

HBF的商业价值最终取决于良率、售价以及它消耗晶圆产能的规模。首批样品预计2027年送出，后续客户测试，将验证预期的降本收益能否覆盖高昂的晶圆消耗。

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